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冲击加速度传感器的工艺选择

  • 分类:行业动态
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  • 来源:
  • 发布时间:2021-12-23
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【概要描述】冲击加速度传感器电容式MEMS加速度计的工艺一般包括:表面工艺、体硅工艺、Liga工艺和SOI+drie工艺。对这些过程进行了比较。

冲击加速度传感器的工艺选择

【概要描述】冲击加速度传感器电容式MEMS加速度计的工艺一般包括:表面工艺、体硅工艺、Liga工艺和SOI+drie工艺。对这些过程进行了比较。

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冲击加速度传感器电容式MEMS加速度计的工艺一般包括:表面工艺、体硅工艺、Liga工艺和SOI+drie工艺。对这些过程进行了比较。

表面技术是在集成电路平面技术的基础上发展起来的一种微技术,它只进行单面光刻。它利用不同材料在硅平面上的顺序沉积和选择性腐蚀来形成各种微结构。主要包括牺牲层沉积、牺牲层刻蚀、结构层沉积、结构层刻蚀、牺牲层去除(释放结构)等。将结构材料悬浮在基板上,形成各种形状的二维或三维结构。

冲击加速度传感器体硅工艺是指沿硅衬底厚度方向刻蚀硅衬底的工艺,包括湿法刻蚀和干法刻蚀。它是实现三维结构的一种重要方法。为了形成完整的微结构,通常在加工的基础上采用键合或键合技术,将硅键合技术与体硅加工方法相结合。硅的微结构是通过多重掩模、单面或双面光刻和各向异性蚀刻形成的,然后将相关零件精确对齐并粘合成一个整体。体硅加工工艺比硅表面加工工艺复杂,体积大,成本高。

冲击加速度传感器SO1+drie工艺是体硅工艺的延伸和发展。绝缘体上硅(SOI)是近年来发展迅速的单晶硅三维微结构制备方法。几乎所有利用SOI制作微结构的方法都是利用dine(深层反应离子刻蚀)对单晶硅进行深度刻蚀。根据不同的结构和性能要求,可采用前结构释放和后结构释放。

硅振荡加速度计,简称SOA。当弦的张力不同时,声音的频率也不同。谐振式加速度计的原理是相同的。振动梁一端固定,另一端与质量块连接。当振动梁的轴方向有加速度时,梁将受到轴方向的力,梁中的张力将发生变化,其固有频率也将随之变化。如果对梁施加一定的激励并检测其响应,则可测量其固有频率和加速度。激励的应用和响应的检测通常通过梳齿机构来实现。

SOA的特点是通过改变2阶系统本身的特性来反映加速度的变化,这与电容式、压电式和光波导加速度计不同。

 


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